Si,SiC,GaN材料的IGBT,Mosfet,Diode,BJT,SCR,IPM,OC,Relay等元器件的電參數(shù)、可靠性、老化試驗。
恒溫,恒濕,快速溫變,冷熱沖擊,氣壓,鹽霧,蒸汽,臭氧,真空,淋雨沙塵,紫外/疝燈,熱真空,涉氫及各類大中小”力學振動試驗臺。
高重頻、高功率、高壓、窄脈沖電源,電壓從數(shù)kV到百kV級,上升沿從fs級到ms級,脈寬0ns到DC,頻率可達MHz,可匹配阻性、容性(pF到nF)和感性負載。
SoC/ASIC仿真驗證。“FPGA原型驗證矩陣”、“企業(yè)級硬件仿真加速器”、“ESL高階設計語言編譯和仿真工具”、“邏輯綜合器”致力“先進數(shù)字前端EDA工具供應商”。
碳化硅精密制品,工藝有靜壓成型、干壓成型、注漿、真空擠出。高純超細碳化硅微粉,2450℃高溫燒結(jié),碳化硅含量>99.1%,密度≥3.10g/cm3。
CNAS認證實驗室,聯(lián)合實驗室、提供第三方檢測與驗證等檢測分析和技術(shù)咨詢。
郵箱:tianshili_email@163.com
手機二維碼
微信公眾號
陜西天士立科技有限公司 ? 2023 版權(quán)所有
備案號:陜ICP備2024028473號-1