壓接型IGBT芯片動(dòng)態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
本文針對電-熱-力綜合作用下壓接型IGBT芯片動(dòng)態(tài)特性測試需求,對實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的關(guān)鍵問題進(jìn)行了仿真計(jì)算和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。所研制平臺(tái)具有回路寄生電感小、芯片表面受力均衡及機(jī)械夾具溫度分布合理的特點(diǎn)。可以滿足不同電壓、機(jī)械壓力及溫度下壓接型IGBT芯片動(dòng)態(tài)特性測試的需求,為壓接型IGBT芯片動(dòng)態(tài)特性測試提供了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。 論文方法及創(chuàng)新點(diǎn) 本文采用仿真計(jì)算指導(dǎo)平臺(tái)設(shè)計(jì)、實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證定量指標(biāo)的方法對壓接型IGBT芯...
發(fā)布日期:2024-06-07 閱讀次數(shù):514 查看詳情 >>