“天士立科技”電源事業(yè)部、集脈沖功率技術(shù)方面資深技術(shù)專家團隊，致力于脈沖電源及脈沖功率技術(shù)研究與應用。在基于MOSFET/IGBT/DSRD及第三代半導體器件的脈沖電源方面有20余年的研究開發(fā)經(jīng)驗。公司的脈沖電源產(chǎn)品電壓幅值從數(shù)kV到百kV級，脈沖上升時間從ps級到ms級，脈沖平頂寬度從0ns 到DC，脈沖頻率可達MHz，可匹配阻性、容性(pF到nF)和感性負載。脈沖的波形可以是方波、三角波、指數(shù)波等，脈沖的關(guān)鍵特征參數(shù)均可編程控制。公司產(chǎn)品支持定制、半定制，應用范圍涵蓋材料處理、生物醫(yī)學、半導體測試、電光調(diào)制、激光泵浦、農(nóng)業(yè)食品、能源化工、環(huán)境治理、航空航天等科研和工業(yè)領(lǐng)域。
CSMC-B200/IRE專為新一代不可逆電穿孔技術(shù)用于腫瘤消融的雙極性高壓納秒脈沖電源，廣泛應用于IRE科研、以及商業(yè)的納米刀消融。
CSMC-B2000/IRE通過專有的MARX專利新技術(shù)，靈活輸出特有的從ns到us級的脈沖/脈沖串組合，其ns級高壓脈沖波形實現(xiàn)的復合陡脈沖電場為治療各樣的惡性腫瘤提供了高效、安全的手段。
主要參數(shù)
脈沖形式：正向單脈沖、負向單脈沖、雙向?qū)ΨQ脈沖、雙向不對稱脈沖、正向多脈沖、負向多脈沖、雙向?qū)ΨQ多脈沖、雙向不對稱多脈沖。
脈沖幅度：±500 V~±2 kV；誤差±10%（額定負載 100Ω）。
脈沖幅值衰減：100Ω 負載、2kV 幅度、300 ns 脈沖寬度、單脈沖，脈沖后沿幅度相比前沿幅度衰減<10%（100Ω 負載、2kV 幅度、300 ns 脈沖寬度、1s 的間隔，后一脈沖相比前一脈沖幅度衰減<5%）。
脈沖寬度：100 ns~300 ns，誤差±10%。
脈沖間隔：2.5 ms~1 s，誤差±10%。
上升/下降沿時間：<100 ns。
適配負載：50 Ohm – 300 Ohm
觸發(fā)模式：內(nèi)部觸發(fā)、外部觸發(fā)
