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專業(yè)的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)
三極管檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA：“華則檢測(cè)”專業(yè)的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)。具有CNAS和CMA認(rèn)證資質(zhì)，擁有多個(gè)設(shè)備NO.1、水平NO.1、專業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測(cè)實(shí)驗(yàn)單位”，對(duì)外提供檢測(cè)測(cè)試和驗(yàn)證等服務(wù)。
三極管檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA：“華則檢測(cè)”主要業(yè)務(wù)包含功率器件參數(shù)檢測(cè)、半導(dǎo)體可靠性檢測(cè)、半導(dǎo)體環(huán)境老化試驗(yàn)分析、應(yīng)用級(jí)系統(tǒng)分析、半導(dǎo)體失效分析、車用分立器件可靠性測(cè)試認(rèn)證、車用功率模塊可靠性測(cè)試認(rèn)證、力學(xué)實(shí)驗(yàn)、氣候環(huán)境實(shí)驗(yàn)等領(lǐng)域，
三極管檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA三極管檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
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三極管檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
一、失效分析測(cè)試·三極管檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
(1) 檢測(cè)項(xiàng)目：開短路檢測(cè) 4
(2) 檢測(cè)項(xiàng)目：漏電檢測(cè) 4
(3) 檢測(cè)項(xiàng)目：產(chǎn)品外觀或形貌確認(rèn) 4
(4) 檢測(cè)項(xiàng)目：尺寸測(cè)量 4
(5) 檢測(cè)項(xiàng)目：超聲波檢測(cè)(SAT) 4
(6) 檢測(cè)項(xiàng)目：X-ray檢測(cè) 5
(7) 檢測(cè)項(xiàng)目：推拉力檢測(cè) 5
(8) 檢測(cè)項(xiàng)目：有害物質(zhì)檢測(cè) 5
(9) 檢測(cè)項(xiàng)目：剖面分析 5
(10) 檢測(cè)項(xiàng)目：樣品開封 5
二、電學(xué)檢測(cè) ·三極管檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
(1) 檢測(cè)項(xiàng)目：直流參數(shù) 6
(2) 檢測(cè)項(xiàng)目：雪崩能量 6
(3) 檢測(cè)項(xiàng)目∶柵極電阻 6
(4) 檢測(cè)項(xiàng)目：開關(guān)時(shí)間（器件級(jí)） 6
(5) 檢測(cè)項(xiàng)目：開關(guān)時(shí)間（模塊級(jí)） 6
(6) 檢測(cè)項(xiàng)目：反向恢復(fù)（模塊級(jí)） 6
(7) 檢測(cè)項(xiàng)目：反向恢復(fù)（器件級(jí)） 6
(8) 檢測(cè)項(xiàng)目：柵極電荷（模塊級(jí)） 7
(9) 檢測(cè)項(xiàng)目：柵極電荷（器件級(jí)） 7
(10) 檢測(cè)項(xiàng)目：短路耐量能力（模塊級(jí)） 7
(11) 檢測(cè)項(xiàng)目：短路耐量能力（器件級(jí)） 7
(12) 檢測(cè)項(xiàng)目：結(jié)電容 7
(13) 檢測(cè)項(xiàng)目：熱阻性能（器件級(jí)） 7
(14) 檢測(cè)項(xiàng)目：熱阻性能（模塊級(jí)） 7
(15) 檢測(cè)項(xiàng)目：參數(shù)曲線掃描 8
(16) 檢測(cè)項(xiàng)目：ESD能力 8
(17) 檢測(cè)項(xiàng)目：正向浪涌能力 8
三、應(yīng)用系統(tǒng)檢測(cè) ·三極管檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
(1) 檢測(cè)項(xiàng)目：電氣參數(shù) 9
(2) 檢測(cè)項(xiàng)目：保護(hù)功能測(cè)試 9
(3) 檢測(cè)項(xiàng)目：元器件應(yīng)力測(cè)試 9
(4) 檢測(cè)項(xiàng)目：電氣/抗電強(qiáng)度測(cè)試 9
(5) 檢測(cè)項(xiàng)目：絕緣電阻測(cè)試 10
(6) 檢測(cè)項(xiàng)目：接地電阻測(cè)試 10
(7) 檢測(cè)項(xiàng)目：低溫測(cè)試 10
(8) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫測(cè)試 10
(9) 檢測(cè)項(xiàng)目：高加速壽命/應(yīng)力測(cè)試 10
(10) 檢測(cè)項(xiàng)目：靜電放電抗擾度測(cè)試 10
(11) 檢測(cè)項(xiàng)目：雷擊浪涌抗擾度測(cè)試 10
(12) 檢測(cè)項(xiàng)目：電源端子騷擾電壓/傳導(dǎo)測(cè)試 11
四、可靠性測(cè)試 ·三極管檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
(1) 檢測(cè)項(xiàng)目：功率循環(huán)齷 (PC) 12
(2) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫門極試驗(yàn)(HTGB) 12
(3) 檢測(cè)項(xiàng)目：低溫工作壽命試驗(yàn)(LTOL) 12
(4) 檢測(cè)項(xiàng)目：低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(LTSL) 12
(5) 檢測(cè)項(xiàng)目：高低溫循環(huán)試驗(yàn)(TC) 12
(6) 檢測(cè)項(xiàng)目：穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn)(SSOL) 12
(7) 檢測(cè)項(xiàng)目：無偏壓的高加速應(yīng)力試驗(yàn)(UHAST) 13
(8) 檢測(cè)項(xiàng)目：預(yù)處理試驗(yàn)(Pre-con) 13
(9) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫反偏試驗(yàn)(HTRB) 13
(10) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫工作壽命試驗(yàn)(HTOL) 13
(11) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(HTSL) 13
(12) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫高濕試驗(yàn)(THB) 13
(13) 檢測(cè)項(xiàng)目：間歇壽命試驗(yàn)(IOL)功率循試驗(yàn)(PC) 13
(14) 檢測(cè)項(xiàng)目：高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HAST) 14
(15) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫蒸煮試驗(yàn)(PCT) 14
(16) 檢測(cè)項(xiàng)目：潮氣敏感度等級(jí)試驗(yàn)(MSL) 14
(17) 檢測(cè)項(xiàng)目：可焊性試驗(yàn)(Solderability) 14
一、失效分析測(cè)試·三極管檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
檢測(cè)項(xiàng)目：開短路檢測(cè)
覆蓋產(chǎn)品：IC
檢測(cè)能力：滿足128pin及以下引腳IC的open/short測(cè)試、曲線跟蹤分析、漏電流測(cè)試；Max電壓7V，電壓精度1mV，Max電流 500mA，電礪度 10nA；
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求
檢測(cè)項(xiàng)目：漏電檢測(cè)
覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
檢測(cè)能力：具有EMMI (微光)和TIVA (激光誘導(dǎo))兩種偵測(cè)方 式；加電方式A：電壓20mV-200V，電流10nA-1A，電流精度 10fA；加電方式B：Max電壓3000V，Max電流5A。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求
檢測(cè)項(xiàng)目：產(chǎn)品外觀或形貌確認(rèn)
覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
檢測(cè)能力：立體成像/Max45倍；金相成像/Max1000倍；數(shù)碼成像/Max6000倍；
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求
檢測(cè)項(xiàng)目：尺寸測(cè)量
覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
檢測(cè)能力：立體成像/Max45倍；金相成像/Max1000倍；數(shù)碼成像/Max6000倍；
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求
檢測(cè)項(xiàng)目：超聲波檢測(cè)(SAT)
覆蓋產(chǎn)品∶ IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
檢測(cè)能力∶具有分層面積百分比計(jì)算，缺陷尺寸標(biāo)識(shí)，厚度與距離測(cè)量等功能。可進(jìn)行A-scan（點(diǎn)掃描）、B-scan（縱向掃描）、 C-scan（橫向掃描）、Through-scan（透射掃描）。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶GuoJun標(biāo)
檢測(cè)項(xiàng)目：X-ray檢測(cè)
覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
檢測(cè)能力：High分辨率0.5um。具有空洞面積百分比計(jì)算，缺陷尺寸標(biāo)識(shí)，厚度與距離測(cè)量等功能?？蛇M(jìn)行二維掃描、三維CT掃描。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GuoJun標(biāo)
檢測(cè)項(xiàng)目：推拉力檢測(cè)
覆蓋產(chǎn)品∶ IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
檢測(cè)能力∶支持WP100和WP2.5KG二款拉力測(cè)試頭，測(cè)試范圍0- 2.5Kg;支持BS250、BS5KG和DS100KG三款推力測(cè)試頭，測(cè)試范圍0-100Kg，推刀接受面寬0-8891um。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ GuoJun標(biāo)
檢測(cè)項(xiàng)目：有害物質(zhì)檢測(cè)
覆蓋產(chǎn)品∶IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
檢測(cè)能力∶ 支持鉛（Pb）、鎘（Cd）、汞（Hg）、六價(jià)鉻（Cr6+）、多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE），以及鹵素等其他化學(xué)元素的檢測(cè)。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/BrMini檢測(cè)限可達(dá)2ppm。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ IEC
檢測(cè)項(xiàng)目：剖面分析
覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
檢測(cè)能力：金相樣品制備、樣品觀察、樣品染色。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求
檢測(cè)項(xiàng)目：樣品開封
覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
檢測(cè)能力：激光開封、化學(xué)開封、樣品剝層。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求
二、電學(xué)檢測(cè)·三極管檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
檢測(cè)項(xiàng)目：直流參數(shù)
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產(chǎn)品；
檢測(cè)能力：檢測(cè)Max電壓7500V檢測(cè)Max電流6000A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC
檢測(cè)項(xiàng)目：雪崩能量
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測(cè)能力：檢測(cè)Max電壓2500V檢測(cè)Max電流200A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)
檢測(cè)項(xiàng)目∶柵極電阻
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件
檢測(cè)能力∶檢測(cè)阻抗∶0.1Ω～50Ω
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶JEDEC
檢測(cè)項(xiàng)目：開關(guān)時(shí)間（器件級(jí)）
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體單管器件；
檢測(cè)能力：Max電壓1200V Max電流200A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，IEC等
檢測(cè)項(xiàng)目：開關(guān)時(shí)間（模塊級(jí)）
覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
檢測(cè)能力：檢測(cè)Max電壓2700V檢測(cè)Max電流4000A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC
檢測(cè)項(xiàng)目：反向恢復(fù)（模塊級(jí)）
覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
檢測(cè)能力：檢測(cè)Max電壓2700V檢測(cè)Max電流4000A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC
檢測(cè)項(xiàng)目：反向恢復(fù)（器件級(jí)）
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測(cè)能力：Max電壓1200V Max電流200A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，IEC等
檢測(cè)項(xiàng)目：柵極電荷（模塊級(jí)）
覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
檢測(cè)能力：檢測(cè)Max電壓2700V檢測(cè)Max電流4000A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC
檢測(cè)項(xiàng)目：柵極電荷（器件級(jí)）
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測(cè)能力：Max電壓1200V Max電流200A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，IEC等
檢測(cè)項(xiàng)目：短路耐量能力（模塊級(jí)）
覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
檢測(cè)能力：檢測(cè)Max電壓2700V，檢測(cè)Max電流10000A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC
檢測(cè)項(xiàng)目：短路耐量能力（器件級(jí)）
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測(cè)能力：檢測(cè)Max電壓1200V，檢測(cè)Max電流1000A；
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，IEC等
檢測(cè)項(xiàng)目：結(jié)電容
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體單管器件
檢測(cè)能力：檢測(cè)Max電壓3000V
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：IEC
檢測(cè)項(xiàng)目：熱阻性能（器件級(jí)）
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體單管器件
檢測(cè)能力：功率250W
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，JEDEC
檢測(cè)項(xiàng)目：熱阻性能（模塊級(jí)）
覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
檢測(cè)能力：Max功率4000W
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，JEDEC
檢測(cè)項(xiàng)目：參數(shù)曲線掃描
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件的l-V、C-V曲線
檢測(cè)能力：檢測(cè)Max電壓3000V檢測(cè)Max電流1500A溫度-70°C~180°C
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，IEC等
檢測(cè)項(xiàng)目：ESD能力
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、IC等產(chǎn)品
檢測(cè)能力：HBMMax電壓8000V；MMMax電壓800V
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，ANSI，JEDEC等
檢測(cè)項(xiàng)目：正向浪涌能力
覆蓋產(chǎn)品：DIODE (Si/SiC)、整流橋；
檢測(cè)能力：Max電流800A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)
三、應(yīng)用系統(tǒng)檢測(cè)·三極管檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
檢測(cè)項(xiàng)目：電氣參數(shù)
覆蓋產(chǎn)品：開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機(jī)控制板。
檢測(cè)能力：低壓AC/DC電源：?jiǎn)蜗郙ax輸入電壓/功率為 300V/3KVA；Max輸出電壓/功率：80V/1000W；低壓DC/DC電 源：Max輸入電壓/功率為80V/1.2KW；Max輸出電壓/功率： 80V/1000W；直流充電樁電源模塊：三相Max輸入電壓/功率為 500V/30KVA；Max輸出電壓/功率：700V/30KW；電機(jī)控制板： 直流輸入電壓/功率100V/5KW
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等
檢測(cè)項(xiàng)目：保護(hù)功能測(cè)試
覆蓋產(chǎn)品：開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機(jī)控制板。
檢測(cè)能力：低壓AC/DC電源：?jiǎn)蜗郙ax輸入電壓/功率為 300V/3KVA；Max輸出電壓/功率：80V/1000W；低壓DC/DC電 源：Max輸入電壓/功率為80V/1.2KW；Max輸出電壓/功率： 80V/1000W；直流充電樁電源模塊：三相Max輸入電壓/功率為 500V/30KVA；Max輸出電壓/功率：700V/30KW；電機(jī)控制板： 直流輸入電壓/功率100V/5KW
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等
檢測(cè)項(xiàng)目：元器件應(yīng)力測(cè)試
覆蓋產(chǎn)品：開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機(jī)控制板、鋰電保護(hù)板。
檢測(cè)能力：Max峰值電壓：1.5KV；Max有效值/峰值電流：30A/50A；High溫度：260°C
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：元器件規(guī)格，客戶要求等
檢測(cè)項(xiàng)目：電氣/抗電強(qiáng)度測(cè)試
覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
檢測(cè)能力：交流耐壓范圍：(0~5)KV/40mA；直流耐壓范圍：(0~6)KV/9999uA
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等
檢測(cè)項(xiàng)目：絕緣電阻測(cè)試
覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
檢測(cè)能力：(100~1K)Vdc/9999mΩ
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等
檢測(cè)項(xiàng)目：接地電阻測(cè)試
覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
檢測(cè)能力：30A/600mΩ
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等
檢測(cè)項(xiàng)目：低溫測(cè)試
覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
檢測(cè)能力：Mini溫度：-70℃
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等
檢測(cè)項(xiàng)目：高溫測(cè)試
覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
檢測(cè)能力：High溫度：~180℃
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等
檢測(cè)項(xiàng)目：高加速壽命/應(yīng)力測(cè)試
覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品
檢測(cè)能力∶溫度范圍∶（-100～+200）℃℃;溫度上升速率∶平均（70°～100°）C/m; 加速∶（5-60）gRMS （空臺(tái)）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等
檢測(cè)項(xiàng)目：靜電放電抗擾度測(cè)試
覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品
檢測(cè)能力∶接觸靜電放電電壓范圍∶（±2～±8）KV空氣靜電放電電壓范圍∶（±2～±25）KV
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等
檢測(cè)項(xiàng)目：雷擊浪涌抗擾度測(cè)試
覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品
檢測(cè)能力∶1.2/50us綜合波的開路電壓范圍∶（0.25～10）KV; 10/700us通訊波的開路電壓范圍∶（0～6）KV;輸出阻抗∶ 1.2/50us綜合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通訊波15Ω和40Ω
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等；
檢測(cè)項(xiàng)目：電源端子騷擾電壓/傳導(dǎo)測(cè)試
覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
檢測(cè)能力：9KHz~ 30MHz
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等
四、可靠性測(cè)試·三極管檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
檢測(cè)項(xiàng)目：功率循環(huán)齷 (PC)
覆蓋產(chǎn)品∶IGBT模塊
檢測(cè)能力∶△Tj=100℃電壓電流Max1800A，12V
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ IEC 客戶自定義
檢測(cè)項(xiàng)目：高溫門極試驗(yàn)(HTGB)
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、SiC MOS等單管器件
檢測(cè)能力∶溫度High150℃;電壓High2000V
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測(cè)項(xiàng)目：低溫工作壽命試驗(yàn)(LTOL)
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測(cè)能力∶溫度Mini-80℃ 電壓High2000V
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測(cè)項(xiàng)目：低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(LTSL)
覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
檢測(cè)能力∶溫度Mini-80℃
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ 美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測(cè)項(xiàng)目：高低溫循環(huán)試驗(yàn)(TC)
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
檢測(cè)能力∶溫度范圍∶-80℃~220℃
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測(cè)項(xiàng)目：穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn)(SSOL)
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測(cè)能力∶△Tj≥100℃，電壓電流Max48V，10A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測(cè)項(xiàng)目：無偏壓的高加速應(yīng)力試驗(yàn)(UHAST)
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
檢測(cè)能力∶溫度130℃ 濕度85%
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測(cè)項(xiàng)目：預(yù)處理試驗(yàn)(Pre-con)
覆蓋產(chǎn)品∶所有SMD類型器件
檢測(cè)能力∶設(shè)備滿足各個(gè)等級(jí)的試驗(yàn)要求
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測(cè)項(xiàng)目：高溫反偏試驗(yàn)(HTRB)
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測(cè)能力∶溫度High150℃; 電壓High2000V
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測(cè)項(xiàng)目：高溫工作壽命試驗(yàn)(HTOL)
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測(cè)能力∶溫度High150℃，電壓High2000V
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測(cè)項(xiàng)目：高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(HTSL)
覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
檢測(cè)能力∶溫度High150℃;
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測(cè)項(xiàng)目：高溫高濕試驗(yàn)(THB)
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
檢測(cè)能力∶溫度High180℃ 濕度范圍∶10%~98%
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測(cè)項(xiàng)目：間歇壽命試驗(yàn)(IOL)功率循試驗(yàn)(PC)
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測(cè)能力∶△Tj≥100℃ 電壓電流Max48V，10A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測(cè)項(xiàng)目：高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HAST)
覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
檢測(cè)能力∶ 溫度130℃/110℃ 濕度85%
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測(cè)項(xiàng)目：高溫蒸煮試驗(yàn)(PCT)
覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
檢測(cè)能力∶溫度121℃ 濕度1
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測(cè)項(xiàng)目：潮氣敏感度等級(jí)試驗(yàn)(MSL)
覆蓋產(chǎn)品∶所有SMD類型器件
檢測(cè)能力∶設(shè)備滿足各個(gè)等級(jí)的試驗(yàn)要求
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測(cè)項(xiàng)目：可焊性試驗(yàn)(Solderability)
覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測(cè)能力∶有鉛、無鉛均可進(jìn)行
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
五、其它測(cè)試·三極管檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
三極管檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA：“華則檢測(cè)”專業(yè)的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)。具有CNAS和CMA認(rèn)證資質(zhì)，擁有多個(gè)設(shè)備NO.1、水平NO.1、專業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測(cè)實(shí)驗(yàn)單位”，對(duì)外提供檢測(cè)測(cè)試和驗(yàn)證等服務(wù)。
三極管檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA：“華則檢測(cè)”主要業(yè)務(wù)包含功率器件參數(shù)檢測(cè)、半導(dǎo)體可靠性檢測(cè)、半導(dǎo)體環(huán)境老化試驗(yàn)分析、應(yīng)用級(jí)系統(tǒng)分析、半導(dǎo)體失效分析、車用分立器件可靠性測(cè)試認(rèn)證、車用功率模塊可靠性測(cè)試認(rèn)證、力學(xué)實(shí)驗(yàn)、氣候環(huán)境實(shí)驗(yàn)等領(lǐng)域，
