陜西天士立科技有限公司
專業(yè)的第三方檢測機構(gòu)
IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA：“華則檢測”專業(yè)的第三方檢測機構(gòu)。具有CNAS和CMA認(rèn)證資質(zhì)，擁有多個設(shè)備NO.1、水平NO.1、專業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測實驗單位”，對外提供檢測測試和驗證等服務(wù)。
IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA：“華則檢測”主要業(yè)務(wù)包含功率器件參數(shù)檢測、半導(dǎo)體可靠性檢測、半導(dǎo)體環(huán)境老化試驗分析、應(yīng)用級系統(tǒng)分析、半導(dǎo)體失效分析、車用分立器件可靠性測試認(rèn)證、車用功率模塊可靠性測試認(rèn)證、力學(xué)實驗、氣候環(huán)境實驗等領(lǐng)域，
IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMAIGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA
服務(wù)目錄
IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA
一、失效分析測試·IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA
(1) 檢測項目：開短路檢測 4
(2) 檢測項目：漏電檢測 4
(3) 檢測項目：產(chǎn)品外觀或形貌確認(rèn) 4
(4) 檢測項目：尺寸測量 4
(5) 檢測項目：超聲波檢測(SAT) 4
(6) 檢測項目：X-ray檢測 5
(7) 檢測項目：推拉力檢測 5
(8) 檢測項目：有害物質(zhì)檢測 5
(9) 檢測項目：剖面分析 5
(10) 檢測項目：樣品開封 5
二、電學(xué)檢測 ·IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA
(1) 檢測項目：直流參數(shù) 6
(2) 檢測項目：雪崩能量 6
(3) 檢測項目∶柵極電阻 6
(4) 檢測項目：開關(guān)時間（器件級） 6
(5) 檢測項目：開關(guān)時間（模塊級） 6
(6) 檢測項目：反向恢復(fù)（模塊級） 6
(7) 檢測項目：反向恢復(fù)（器件級） 6
(8) 檢測項目：柵極電荷（模塊級） 7
(9) 檢測項目：柵極電荷（器件級） 7
(10) 檢測項目：短路耐量能力（模塊級） 7
(11) 檢測項目：短路耐量能力（器件級） 7
(12) 檢測項目：結(jié)電容 7
(13) 檢測項目：熱阻性能（器件級） 7
(14) 檢測項目：熱阻性能（模塊級） 7
(15) 檢測項目：參數(shù)曲線掃描 8
(16) 檢測項目：ESD能力 8
(17) 檢測項目：正向浪涌能力 8
三、應(yīng)用系統(tǒng)檢測 ·IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA
(1) 檢測項目：電氣參數(shù) 9
(2) 檢測項目：保護功能測試 9
(3) 檢測項目：元器件應(yīng)力測試 9
(4) 檢測項目：電氣/抗電強度測試 9
(5) 檢測項目：絕緣電阻測試 10
(6) 檢測項目：接地電阻測試 10
(7) 檢測項目：低溫測試 10
(8) 檢測項目：高溫測試 10
(9) 檢測項目：高加速壽命/應(yīng)力測試 10
(10) 檢測項目：靜電放電抗擾度測試 10
(11) 檢測項目：雷擊浪涌抗擾度測試 10
(12) 檢測項目：電源端子騷擾電壓/傳導(dǎo)測試 11
四、可靠性測試 ·IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA
(1) 檢測項目：功率循環(huán)齷 (PC) 12
(2) 檢測項目：高溫門極試驗(HTGB) 12
(3) 檢測項目：低溫工作壽命試驗(LTOL) 12
(4) 檢測項目：低溫儲存試驗(LTSL) 12
(5) 檢測項目：高低溫循環(huán)試驗(TC) 12
(6) 檢測項目：穩(wěn)態(tài)功率試驗(SSOL) 12
(7) 檢測項目：無偏壓的高加速應(yīng)力試驗(UHAST) 13
(8) 檢測項目：預(yù)處理試驗(Pre-con) 13
(9) 檢測項目：高溫反偏試驗(HTRB) 13
(10) 檢測項目：高溫工作壽命試驗(HTOL) 13
(11) 檢測項目：高溫儲存試驗(HTSL) 13
(12) 檢測項目：高溫高濕試驗(THB) 13
(13) 檢測項目：間歇壽命試驗(IOL)功率循試驗(PC) 13
(14) 檢測項目：高加速應(yīng)力試驗(HAST) 14
(15) 檢測項目：高溫蒸煮試驗(PCT) 14
(16) 檢測項目：潮氣敏感度等級試驗(MSL) 14
(17) 檢測項目：可焊性試驗(Solderability) 14
一、失效分析測試·IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA
檢測項目：開短路檢測
覆蓋產(chǎn)品：IC
檢測能力：滿足128pin及以下引腳IC的open/short測試、曲線跟蹤分析、漏電流測試；MAX電壓7V，電壓精度1mV，MAX電流 500mA，電礪度 10nA；
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求
檢測項目：漏電檢測
覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
檢測能力：具有EMMI (微光)和TIVA (激光誘導(dǎo))兩種偵測方 式；加電方式A：電壓20mV-200V，電流10nA-1A，電流精度 10fA；加電方式B：MAX電壓3000V，MAX電流5A。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求
檢測項目：產(chǎn)品外觀或形貌確認(rèn)
覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
檢測能力：立體成像/MAX45倍；金相成像/MAX1000倍；數(shù)碼成像/MAX6000倍；
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求
檢測項目：尺寸測量
覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
檢測能力：立體成像/MAX45倍；金相成像/MAX1000倍；數(shù)碼成像/MAX6000倍；
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求
檢測項目：超聲波檢測(SAT)
覆蓋產(chǎn)品∶ IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
檢測能力∶具有分層面積百分比計算，缺陷尺寸標(biāo)識，厚度與距離測量等功能?？蛇M行A-scan（點掃描）、B-scan（縱向掃描）、 C-scan（橫向掃描）、Through-scan（透射掃描）。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶GuoJun標(biāo)
檢測項目：X-ray檢測
覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
檢測能力：High分辨率0.5um。具有空洞面積百分比計算，缺陷尺寸標(biāo)識，厚度與距離測量等功能?？蛇M行二維掃描、三維CT掃描。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GuoJun標(biāo)
檢測項目：推拉力檢測
覆蓋產(chǎn)品∶ IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
檢測能力∶支持WP100和WP2.5KG二款拉力測試頭，測試范圍0- 2.5Kg;支持BS250、BS5KG和DS100KG三款推力測試頭，測試范圍0-100Kg，推刀接受面寬0-8891um。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ GuoJun標(biāo)
檢測項目：有害物質(zhì)檢測
覆蓋產(chǎn)品∶IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
檢測能力∶ 支持鉛（Pb）、鎘（Cd）、汞（Hg）、六價鉻（Cr6+）、多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE），以及鹵素等其他化學(xué)元素的檢測。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/BrMini檢測限可達2ppm。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ IEC
檢測項目：剖面分析
覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
檢測能力：金相樣品制備、樣品觀察、樣品染色。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求
檢測項目：樣品開封
覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
檢測能力：激光開封、化學(xué)開封、樣品剝層。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求
二、電學(xué)檢測·IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA
檢測項目：直流參數(shù)
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產(chǎn)品；
檢測能力：檢測MAX電壓7500V檢測MAX電流6000A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC
檢測項目：雪崩能量
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測能力：檢測MAX電壓2500V檢測MAX電流200A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)
檢測項目∶柵極電阻
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件
檢測能力∶檢測阻抗∶0.1Ω～50Ω
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶JEDEC
檢測項目：開關(guān)時間（器件級）
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體單管器件；
檢測能力：MAX電壓1200V MAX電流200A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國標(biāo)，IEC等
檢測項目：開關(guān)時間（模塊級）
覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
檢測能力：檢測MAX電壓2700V檢測MAX電流4000A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC
檢測項目：反向恢復(fù)（模塊級）
覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
檢測能力：檢測MAX電壓2700V檢測MAX電流4000A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC
檢測項目：反向恢復(fù)（器件級）
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測能力：MAX電壓1200V MAX電流200A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國標(biāo)，IEC等
檢測項目：柵極電荷（模塊級）
覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
檢測能力：檢測MAX電壓2700V檢測MAX電流4000A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC
檢測項目：柵極電荷（器件級）
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測能力：MAX電壓1200V MAX電流200A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國標(biāo)，IEC等
檢測項目：短路耐量能力（模塊級）
覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
檢測能力：檢測MAX電壓2700V，檢測MAX電流10000A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC
檢測項目：短路耐量能力（器件級）
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測能力：檢測MAX電壓1200V，檢測MAX電流1000A；
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國標(biāo)，IEC等
檢測項目：結(jié)電容
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體單管器件
檢測能力：檢測MAX電壓3000V
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：IEC
檢測項目：熱阻性能（器件級）
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體單管器件
檢測能力：功率250W
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，JEDEC
檢測項目：熱阻性能（模塊級）
覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
檢測能力：MAX功率4000W
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，JEDEC
檢測項目：參數(shù)曲線掃描
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件的l-V、C-V曲線
檢測能力：檢測MAX電壓3000V檢測MAX電流1500A溫度-70°C~180°C
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，IEC等
檢測項目：ESD能力
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、IC等產(chǎn)品
檢測能力：HBMMAX電壓8000V；MMMAX電壓800V
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，ANSI，JEDEC等
檢測項目：正向浪涌能力
覆蓋產(chǎn)品：DIODE (Si/SiC)、整流橋；
檢測能力：MAX電流800A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國標(biāo)
三、應(yīng)用系統(tǒng)檢測·IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA
檢測項目：電氣參數(shù)
覆蓋產(chǎn)品：開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機控制板。
檢測能力：低壓AC/DC電源：單相MAX輸入電壓/功率為 300V/3KVA；MAX輸出電壓/功率：80V/1000W；低壓DC/DC電 源：MAX輸入電壓/功率為80V/1.2KW；MAX輸出電壓/功率： 80V/1000W；直流充電樁電源模塊：三相MAX輸入電壓/功率為 500V/30KVA；MAX輸出電壓/功率：700V/30KW；電機控制板： 直流輸入電壓/功率100V/5KW
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC，客戶要求等
檢測項目：保護功能測試
覆蓋產(chǎn)品：開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機控制板。
檢測能力：低壓AC/DC電源：單相MAX輸入電壓/功率為 300V/3KVA；MAX輸出電壓/功率：80V/1000W；低壓DC/DC電 源：MAX輸入電壓/功率為80V/1.2KW；MAX輸出電壓/功率： 80V/1000W；直流充電樁電源模塊：三相MAX輸入電壓/功率為 500V/30KVA；MAX輸出電壓/功率：700V/30KW；電機控制板： 直流輸入電壓/功率100V/5KW
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC，客戶要求等
檢測項目：元器件應(yīng)力測試
覆蓋產(chǎn)品：開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機控制板、鋰電保護板。
檢測能力：MAX峰值電壓：1.5KV；MAX有效值/峰值電流：30A/50A；High溫度：260°C
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：元器件規(guī)格，客戶要求等
檢測項目：電氣/抗電強度測試
覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
檢測能力：交流耐壓范圍：(0~5)KV/40mA；直流耐壓范圍：(0~6)KV/9999uA
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC，客戶要求等
檢測項目：絕緣電阻測試
覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
檢測能力：(100~1K)Vdc/9999mΩ
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC，客戶要求等
檢測項目：接地電阻測試
覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
檢測能力：30A/600mΩ
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC，客戶要求等
檢測項目：低溫測試
覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
檢測能力：Mini溫度：-70℃
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC，客戶要求等
檢測項目：高溫測試
覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
檢測能力：High溫度：~180℃
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC，客戶要求等
檢測項目：高加速壽命/應(yīng)力測試
覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品
檢測能力∶溫度范圍∶（-100～+200）℃℃;溫度上升速率∶平均（70°～100°）C/m; 加速∶（5-60）gRMS （空臺）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國標(biāo)，IEC，客戶要求等
檢測項目：靜電放電抗擾度測試
覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品
檢測能力∶接觸靜電放電電壓范圍∶（±2～±8）KV空氣靜電放電電壓范圍∶（±2～±25）KV
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國標(biāo)，IEC，客戶要求等
檢測項目：雷擊浪涌抗擾度測試
覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品
檢測能力∶1.2/50us綜合波的開路電壓范圍∶（0.25～10）KV; 10/700us通訊波的開路電壓范圍∶（0～6）KV;輸出阻抗∶ 1.2/50us綜合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通訊波15Ω和40Ω
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國標(biāo)，IEC，客戶要求等；
檢測項目：電源端子騷擾電壓/傳導(dǎo)測試
覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
檢測能力：9KHz~ 30MHz
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC，客戶要求等
四、可靠性測試·IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA
檢測項目：功率循環(huán)齷 (PC)
覆蓋產(chǎn)品∶IGBT模塊
檢測能力∶△Tj=100℃電壓電流MAX1800A，12V
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ IEC 客戶自定義
檢測項目：高溫門極試驗(HTGB)
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、SiC MOS等單管器件
檢測能力∶溫度High150℃;電壓High2000V
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測項目：低溫工作壽命試驗(LTOL)
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測能力∶溫度Mini-80℃ 電壓High2000V
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測項目：低溫儲存試驗(LTSL)
覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
檢測能力∶溫度Mini-80℃
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ 美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測項目：高低溫循環(huán)試驗(TC)
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
檢測能力∶溫度范圍∶-80℃~220℃
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測項目：穩(wěn)態(tài)功率試驗(SSOL)
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測能力∶△Tj≥100℃，電壓電流MAX48V，10A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測項目：無偏壓的高加速應(yīng)力試驗(UHAST)
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
檢測能力∶溫度130℃ 濕度85%
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測項目：預(yù)處理試驗(Pre-con)
覆蓋產(chǎn)品∶所有SMD類型器件
檢測能力∶設(shè)備滿足各個等級的試驗要求
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測項目：高溫反偏試驗(HTRB)
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測能力∶溫度High150℃; 電壓High2000V
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測項目：高溫工作壽命試驗(HTOL)
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測能力∶溫度High150℃，電壓High2000V
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測項目：高溫儲存試驗(HTSL)
覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
檢測能力∶溫度High150℃;
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測項目：高溫高濕試驗(THB)
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
檢測能力∶溫度High180℃ 濕度范圍∶10%~98%
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測項目：間歇壽命試驗(IOL)功率循試驗(PC)
覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測能力∶△Tj≥100℃ 電壓電流MAX48V，10A
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測項目：高加速應(yīng)力試驗(HAST)
覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
檢測能力∶ 溫度130℃/110℃ 濕度85%
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測項目：高溫蒸煮試驗(PCT)
覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
檢測能力∶溫度121℃ 濕度1
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測項目：潮氣敏感度等級試驗(MSL)
覆蓋產(chǎn)品∶所有SMD類型器件
檢測能力∶設(shè)備滿足各個等級的試驗要求
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
檢測項目：可焊性試驗(Solderability)
覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
檢測能力∶有鉛、無鉛均可進行
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等
五、其它測試·IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA
IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA：“華則檢測”專業(yè)的第三方檢測機構(gòu)。具有CNAS和CMA認(rèn)證資質(zhì)，擁有多個設(shè)備NO.1、水平NO.1、專業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測實驗單位”，對外提供檢測測試和驗證等服務(wù)。
IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA：“華則檢測”主要業(yè)務(wù)包含功率器件參數(shù)檢測、半導(dǎo)體可靠性檢測、半導(dǎo)體環(huán)境老化試驗分析、應(yīng)用級系統(tǒng)分析、半導(dǎo)體失效分析、車用分立器件可靠性測試認(rèn)證、車用功率模塊可靠性測試認(rèn)證、力學(xué)實驗、氣候環(huán)境實驗等領(lǐng)域，
