測(cè)試對(duì)象：IGBT、Mosfet、Diode
測(cè)試參數(shù)：靜態(tài)參數(shù)，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢復(fù)二極管的VF、ICES等參數(shù)
標(biāo)準(zhǔn):《絕緣柵雙極晶體管（IGBT）》（GB/T29332-2012）
該測(cè)試儀具有自動(dòng)保護(hù)功能，且所有參數(shù)的設(shè)定及顯示均采用液晶屏觸摸屏實(shí)現(xiàn)，支持U盤一鍵導(dǎo)出數(shù)據(jù)
IGBT測(cè)試IGBT測(cè)試項(xiàng)目測(cè)試條件測(cè)試結(jié)果柵極-發(fā)射極柵
極絕緣Vges: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V
精度:±3% ±0.1VIges: 0.1-20.0μA,分辨力,0.1μA
精度:±3% ±0.1μA截止電流Vces: 100-2000V,分辨力,1 V
精度:±3% ±10VIces: 100μA-1000μA,分辨力,10μA
1.0mA-10.0mA,分辯力,0.1mA
精度:±3% ±10μA閾值電壓Ice： 1-10mA， 分辨力， 1mA
（可根據(jù)客戶需求擴(kuò)展）Vge(th): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V
精度:±3% ±0.1V飽和壓降Ice: 20-200A,分辨力,1A
精度:±3% ±1AVce(sat): 0.20-10.00V,分辨力,0.01V
精度:±3% ±0.10V二極管壓降If: 20-200A,分辨力,1A
精度:±3% ±1 AVf: 0.10-5.00V分辨力0.01V
精度:±3% ±0.10V二極管反向電流Vd:100-2000V,分辨力,1V
精度:±3% ±10VId: 100μA-1000μA,分辨力,10μA
1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA
精度:±3% ±10μA
MOSFET測(cè)試MOSFET測(cè)試項(xiàng)目測(cè)試條件測(cè)試結(jié)果柵極-源極絕緣Vgss: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V
精度:±3% ±0.1VIgss: 0.1-20.0μA,分辨力,0.1μA
精度:±3% ±0.1μA漏極-源極截止電流Vdss:100-2000V,分辨力,1V
精度:±3% ±10VIdss:100μA-1000μA,分辨力,10μA
1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA
精度:±3% ±10μA柵極-源極閾值電壓Ids： 1-10mA， 分辨力， 1mAVgs(to): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V
精度:±3% ±0.1V漏極-源極導(dǎo)通電阻Ids:20-200A,分辨力,1A
精度:±3% ±1ARds(on):0-500mR,分辨力,1mR二極管壓降If: 20-200A,分辨力,1A
精度:±3% ±1 AVf: 0.10-5.00V分辨力0.01V
精度:±3% ±0.10V二極管反向電流Vdss:100-2000V,分辨力,1V
精度:±3% ±10VIdss:100μA-1000μA,分辨力,10μA
1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA
精度:±3% ±10μA
DIODE測(cè)試DIODE測(cè)試項(xiàng)目測(cè)試條件測(cè)試結(jié)果二極管壓降If:20-200A,分辨力,1A
精度:±3% ±1AVf: 0.10-5.00V分辨力0.01V
精度:±3% ±0.10V二極管反向電流Vd:100-2000V,分辨力,1V
精度:±3% ±10VId:100μA-1000μA,分辨力,10μA
1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA
精度:±3% ±10μA
