半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)&能測(cè) IGBT. Mosfet. Diode. BJT......
陜西天士立科技有限公司/STD2000/半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)能測(cè)試多種電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開(kāi)啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導(dǎo)通內(nèi)阻Rds(on)）。 高壓源標(biāo)配1400V（選配2KV），高流源標(biāo)配100A（選配40A,200A,500...
發(fā)布日期：2024-07-04 閱讀次數(shù)：244 查看詳情 >>
