試驗?zāi)芰?
基本配置
標(biāo)配，開通特性測試單元 / Turn_ON
標(biāo)配，關(guān)斷特性測試單元 / Turn_OFF
標(biāo)配，二極管反向恢復(fù)測試單元 / Trr
標(biāo)配，柵電荷測試單元 / Qg
¨ 選配，容阻測試單元 / CR
¨ 選配，短路測試單元 / SC
¨ 選配，雪崩測試單元 / UIS
¨ 選配，安全工作區(qū)單元 / SOA
¨ 選配，動態(tài)電阻單元 /
高壓源：1200V（選配 2000V）
高流源：100A（選配 200A/300A/500A）
驅(qū)動電壓：±20V（選配±30V）
時間分辨率：1ns（選配 400ps/200ps/100ps）
系統(tǒng)雜感：＜20nH
測試對象：Si（選配SiC/GaN）材料IGBTs , Diodes , MOSFETs（選配BJT）
變溫測試：常溫~150℃/200℃
感性負(fù)載：程控電感（0.01mH-160mH，步進(jìn)10uH），選配定制電感
阻性負(fù)載：程控電阻（1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω）備用三個電阻
測試管型：可以測試N溝道和P溝道的IGBTs , MOSFETs
測試標(biāo)準(zhǔn)：國際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9/IEC60747-2
國標(biāo)GB/T29332/GB/T4023
產(chǎn)品概述
STA1200 型晶體管動態(tài)特性測試系統(tǒng)，是一款主要面向“單管級器件”用戶服務(wù)的測試設(shè)備，可實現(xiàn)對Si 基（選配SiC/GaN）材料的 IGBT、MOS-FET、Diode、BJT的多種動態(tài)參數(shù)的精確測試，測試原理符合國軍標(biāo)。
能夠測試測試的參數(shù)包括開通時間、關(guān)斷時間、上升時間、下降時間、導(dǎo)通延遲時間、關(guān)斷延 遲時間、開通損耗、關(guān)斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復(fù)時間、反向恢復(fù) 充電電量、反向恢復(fù)電流、反向恢復(fù)損耗、反向恢復(fù)電流變化率、反向恢復(fù)電壓變化率、輸入電容、輸出電容、反向轉(zhuǎn)移電容、短路等等。
通過更換不同個性單元（簡稱DUT）以達(dá)到對應(yīng)的測試項目，通過軟件切換可以選擇測試單元、測試項目及配置測試參數(shù)、讀取保存測試結(jié)果。系統(tǒng)集成度高，性能穩(wěn)定，具有升級擴展?jié)撃芎土己玫娜藱C交互。
測試參數(shù)
switch
Trr
Qg
SC
UIS
CR
td(on)開通延遲
td(off)關(guān)斷延遲
tr 上升時間
tf 下降時間
ton 開通時間
toff 關(guān)斷時間
Eon 開通損耗
Eoff 關(guān)斷損耗
反向恢復(fù)時間 Trr
反向恢復(fù)電荷 Qrr
反向恢復(fù)電流 Irm
反向恢復(fù)損耗 Erec
軟度因子 FRRS
電流下降率 di/dt
電壓變化率 dv/dt
Qg（th）閾值電荷
Vg 平臺電壓
Qg 柵電荷
Qgs 柵源電荷
Qgd 柵漏電荷
Icsc 短路電流
Tsc 短路時間
Esc 短路耐量
EAS 雪崩能量
IAS 雪崩電流
PAS 雪崩功率
Ciss 輸入電容
Coss 輸出電容
Cres 反饋電容
Rg 柵極電阻
外觀架構(gòu)
編輯
參數(shù)指標(biāo)
√ 標(biāo)配（阻性/感性）開關(guān)測試單元 / Turn_ON/OFF
漏極電壓測試范圍：5V-1200V，分辨率 1V
漏極電流測試范圍：1A-100A，分辨率1A；
柵極驅(qū)動：±20V（選配±30V），分辨率 0.1V
最大柵極電流：2A
脈沖寬度：1us-500us,步進(jìn) 0.1us
時間測試精度：1ns
感性負(fù)載：0.01mH-160mH 程序控制，步進(jìn) 10uH
阻性負(fù)載：1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω，程序控制，備用三個電阻
開通/關(guān)斷時間 ton/toff：1-10000ns分辨率1ns（選配400/200/100ps）
開通/關(guān)斷延遲 td(on)/td(off）：0.1-10000ns@1ns（選配400/200/100ps）
上升/下降時間 tr/tf：1-10000ns分辨率1ns（選配400/200/100ps）
開通/關(guān)斷損耗 Eon/Eoff：1-2000mJ 最小分辨率 1uJ
√ 標(biāo)配 二極管反向恢復(fù)測試單元 / Qrr_FRD
正向電流：1A-25A，分辨率 0.1A
25A-100A（選配200A/300A）分辨率 1A
反向電壓：5v-100V，步進(jìn) 0.1V
100V-1200V，步進(jìn) 1.0v
反向恢復(fù)時間 Trr：1-10000ns，最小分辨率1ns（選配400/200/100ps）
反向恢復(fù)電荷 Qrr：1nC-100μC，最小分辨率 1nC；
反向恢復(fù)電流 Irm：1A-100A（選配200A/300A）；
反向恢復(fù)損耗 Erec：1-2000mJ，最小分辨率 1uJ；
電流下降率 dif/dt：50-1kA/us；
電壓變化率 dv/dt：50-1kV/us。
¨ 選配 容阻測試單元 / CR
電容測試掃頻范圍：0.1MHz～5MHz
漏源極電壓：1200V，分辨率 1V
測試參數(shù)：Ciss、Coss、Cres
√ 標(biāo)配 柵極電荷單元 / Qg
驅(qū)動電流：0-2mA，分辨率 0.01mA
2-20mA，分辨率 0.1mA
20mA-200mA，分辨率 1mA
柵極電壓：±20V（選配±30V）@0.1V
恒流源負(fù)載：1-25A，分辨率0.1A
25-100A（選配200A/300A）@1A
漏極電壓：5-100V，步進(jìn) 0.1V
100-1200V，步進(jìn) 1.0V
柵極電荷 Qg：1nC-100μC
漏極電荷 Qgs：1nC-100μC
源極電荷 Qgd：1nC-100μC
平臺電壓 Vgp：0~30V，分辨率 0.1V
¨ 選配 短路特性測試單元 / SC
最大電流：1000A
脈寬：1us~100us
柵驅(qū)電壓：±20V（選配±30V）@0.1V
漏極電壓：5V~100V，0.1V 分辨率
100V~1200V，1.0V 分辨率
¨ 選配 雪崩測試單元 / UIS
雪崩耐量/EAS：100J
雪崩擊穿電壓/2500V
雪崩電流/IAS：1.0-400A 分辨率 1.0A
感性負(fù)載/0.01-160mH@10μH，程控可調(diào)
¨ 選配 動態(tài)電阻Ron,dy
測試標(biāo)準(zhǔn)與原理
