基礎信息
高壓源：1200V（選配2000V）
高流源：100A（選配200A/300A/500A）
驅動電壓：±20V（選配±30V）
時間分辨率：1ns（選配400ps/200ps/100ps）
系統(tǒng)雜感：＜20nH
測試對象：Si（SiC/GaN）IGBT,Diode,MOSFET（選配BJT）
變溫測試：常溫~150℃/200℃
感性負載：程控電感（0.01~160mH，步進10uH）
阻性負載：程控電阻（1Ω,2Ω,5Ω,10Ω,50Ω）備用三個
測試管型：可以測試N溝道和P溝道的IGBTs,MOSFETs
測試標準：IEC60747-9/IEC60747-2，GB/T29332/GB/T4023
試驗原理舉例
技術特點
專注寬禁帶功率器件動態(tài)參數評測，軟件程控，測試條件界面化輸入，系統(tǒng)閉環(huán)處理，自動調節(jié)一鍵測試
采用光纖驅動信號通訊，響應速度快，抗干擾能力強
自動加熱可由室溫~200℃，精度±0.1℃
測試結果Excel，JPEG波形，波形任意縮放細節(jié)展寬分析
測試主功率回路寄生電感Ls<10nH(實測)
柵極驅動電阻Rg端口開放，按設定條件匹配電阻
DualARM控核，DSP數據采樣計算，極大減少控制時延誤差
試驗能力
標配：開通特性測試單元/Turn_ON
標配：關斷特性測試單元/Turn_OFF
標配：二極管反向恢復測試單元/Trr
標配：柵電荷測試單元/Qg¨
選配：容阻測試單元/CR¨
選配：短路測試單元/SC¨
選配：雪崩測試單元/UIS¨
選配：安全工作區(qū)單元/SOA¨
選配：動態(tài)電阻單元/
參數指標
