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晶體管動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200

基礎(chǔ)信息高壓源：1200V（選配2000V）高流源：100A（選配200A/300A/500A）驅(qū)動電壓：±20V（選配±30V）時間分辨率：1ns（選配400ps/200ps/100ps）系統(tǒng)雜感：＜20nH 測試對象：Si（SiC/GaN）IGBT,Diode,MOSFET（選配BJT）變溫測試：常溫~150℃/200℃ 感性負(fù)載：程控電感（0.01~160mH，步進(jìn)10uH...

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：221 查看詳情 >>

STA1200晶體管動態(tài)特性測試系統(tǒng)

試驗(yàn)?zāi)芰?基本配置標(biāo)配，開通特性測試單元/Turn_ON 標(biāo)配，關(guān)斷特性測試單元/Turn_OFF 標(biāo)配，二極管反向恢復(fù)測試單元/Trr 標(biāo)配，柵電荷測試單元/Qg ¨選配，容阻測試單元/CR ¨選配，短路測試單元/SC ¨選配，雪崩測試單元/UIS ¨選配，安全工作區(qū)單元/SOA ¨選配，動態(tài)電阻單元/ 高壓源：1200V（選配2000V）高流源：100A（選配200A/3...

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：229 查看詳情 >>

IGBT模塊動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA3500

電氣配置高壓源/VCC：1500V/3300V/5000V/10KV 高流源/IC：600A/1500A/3000A/6000A/10KA 短路電流/Isc：3000A/6000A/10KA（5-50μs）驅(qū)動電壓/VGE：±0.5~30V/±0.5~50V Rg：0.5R、1R、2R、4R（支持手動和自動切換）負(fù)載/L：105015050010002000uH 電流/I：6000...

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：250 查看詳情 >>

晶體管正向偏置安全工作區(qū)測試系統(tǒng)ST-FBSOA_X

基礎(chǔ)信息 Si,SiC,GaN,材料的器件級和模塊級的IGBT,MOS-FET的FBSOA（正向偏置安全工作區(qū)）測試 FBSOA和對應(yīng)的IV曲線 ICE電流0~1000A VCE電壓0~100V VGE驅(qū)動電壓0~30V VMNF熱敏電壓≤5V Pmax功率100KW 脈寬10us~10ms 柜式結(jié)構(gòu)，氣動安全（支持手動式）工裝柜，計算機(jī)程控該圖是簡版FBSOA曲線，劃定了四條電壓-電流關(guān)系...

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：234 查看詳情 >>

光耦靜態(tài)直流參數(shù)測試儀系統(tǒng)

陜西天士立科技有限公司/STD2000/光耦靜態(tài)直流參數(shù)測試儀系統(tǒng) 可以測試Si,SiC,GaN&IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)和IV曲線（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導(dǎo)通內(nèi)阻Rds(on)）...

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：233 查看詳情 >>

光耦參數(shù)測試儀系統(tǒng)

陜西天士立科技科技有限公司/STD2000/光耦參數(shù)測試儀系統(tǒng) 可以測試Si,SiC,GaN&IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)和IV曲線（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導(dǎo)通內(nèi)阻Rds(on)）。 ...

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：230 查看詳情 >>

功率器件參數(shù)定義及測試方案

參數(shù)定義功率器件參數(shù)主要是指靜態(tài)直流參數(shù)，是本身固有的，與其工作條件無關(guān)的電學(xué)參數(shù)，以MOS管為例，主要包括：門極開關(guān)電壓（VGSTH、VGSON、VGSOFF），漏-源擊穿電壓（BVDSS）、零柵壓漏極電流（IDSS）、柵源漏電流（IGSS）、導(dǎo)通內(nèi)阻（RDSON）、寄生電容（輸入電容Ciss、輸出電容Coss、發(fā)向傳輸電容Crss），以及以上參數(shù)的相關(guān)特性曲線的測試(IV及CV曲線)。第三代...

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：222 查看詳情 >>

半導(dǎo)體分立器件基礎(chǔ)知識講解

分立器件基本概念半導(dǎo)體分立器件是指由半導(dǎo)體材料制成的，具有單一功能或特定功能的電子元器件，其基礎(chǔ)單元室PN結(jié)。常見的半導(dǎo)體分立器件包括二極管、三極管、場效應(yīng)管、晶閘管、IGB等。這些器件的主要制造材料包括硅、鍺、碳等半導(dǎo)體元素，第一代和第二代半導(dǎo)體是硅基材料，第三代儀碳化硅和氮化鎵為代表，主要用于制造二極管、MOS管、IGBT等常見分立器件的種類二極管：二極管是一種具有單向?qū)щ娦缘陌雽?dǎo)體器...

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：237 查看詳情 >>

半導(dǎo)體分立器件應(yīng)用分析及測試方案

一、分立器件應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體分立器件是電子電路的基礎(chǔ)元器件，是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。近年來，我國半導(dǎo)體分立器件制造企業(yè)通過持續(xù)的引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新，產(chǎn)品技術(shù)含量及性能水平大幅提高。部分優(yōu)質(zhì)企業(yè)在細(xì)分產(chǎn)品領(lǐng)域的技術(shù)工藝水平已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平，并憑借其成本、技術(shù)優(yōu)勢逐步實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。 1、家用電器領(lǐng)域半導(dǎo)體分立器件可以對驅(qū)動家用電器的電能進(jìn)行控制和轉(zhuǎn)換，是家用電器的關(guān)...

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：226 查看詳情 >>

“陜西天士立科技”快訊｜首批IGBT模塊靜態(tài)動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備產(chǎn)線工作站交付

什么是IGBT 功率半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)的細(xì)分領(lǐng)域，雖不像集成電路一樣被大眾熟知，但其重要性不可忽視。IGBT是功率半導(dǎo)體的一種，它是電子電力裝置和系統(tǒng)中的“CPU”、高效節(jié)能減排的主力軍。IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于EV、HEV、變頻器、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、風(fēng)力渦輪機(jī)、光伏裝置、軌道...

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：224 查看詳情 >>

CSMC-02 2KV單極性脈沖電源參數(shù)化脈沖源_高壓脈沖納秒脈沖電源

“天士立科技”電源事業(yè)部、集脈沖功率技術(shù)方面資深技術(shù)專家團(tuán)隊，致力于脈沖電源及脈沖功率技術(shù)研究與應(yīng)用。在基于MOSFET/IGBT/DSRD及第三代半導(dǎo)體器件的脈沖電源方面有20余年的研究開發(fā)經(jīng)驗(yàn)。公司的脈沖電源產(chǎn)品電壓幅值從數(shù)kV到百kV級，脈沖上升時間從ps級到ms級，脈沖平頂寬度從0ns到DC，脈沖頻率可達(dá)MHz，可匹配阻性、容性(pF到nF)和感性負(fù)載。脈沖的波形可以是方波、三角波、指數(shù)...

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晶體管動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：221 查看詳情 >>

STA1200晶體管動態(tài)特性測試系統(tǒng)

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：229 查看詳情 >>

IGBT模塊動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA3500

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：250 查看詳情 >>

晶體管正向偏置安全工作區(qū)測試系統(tǒng)ST-FBSOA_X

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：234 查看詳情 >>

光耦靜態(tài)直流參數(shù)測試儀系統(tǒng)

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：233 查看詳情 >>

光耦參數(shù)測試儀系統(tǒng)

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：230 查看詳情 >>

功率器件參數(shù)定義及測試方案

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：222 查看詳情 >>

半導(dǎo)體分立器件基礎(chǔ)知識講解

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：237 查看詳情 >>

半導(dǎo)體分立器件應(yīng)用分析及測試方案

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：226 查看詳情 >>

“陜西天士立科技”快訊｜首批IGBT模塊靜態(tài)動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備產(chǎn)線工作站交付

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：224 查看詳情 >>

CSMC-02 2KV單極性脈沖電源參數(shù)化脈沖源_高壓脈沖納秒脈沖電源

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：233 查看詳情 >>

CSMC-05 5KV單極性脈沖電源&參數(shù)化脈沖源_高壓脈沖納秒脈沖電源

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：275 查看詳情 >>

服務(wù)熱線

029-88225591 15596668116

地址：陜西省西安市高新區(qū)高新路8號

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晶體管動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：221 查看詳情 >>

STA1200晶體管動態(tài)特性測試系統(tǒng)

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：229 查看詳情 >>

IGBT模塊動態(tài)特性測試系統(tǒng)STA3500

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：250 查看詳情 >>

晶體管正向偏置安全工作區(qū)測試系統(tǒng)ST-FBSOA_X

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：234 查看詳情 >>

光耦靜態(tài)直流參數(shù)測試儀系統(tǒng)

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：233 查看詳情 >>

光耦參數(shù)測試儀系統(tǒng)

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：230 查看詳情 >>

功率器件參數(shù)定義及測試方案

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：222 查看詳情 >>

半導(dǎo)體分立器件基礎(chǔ)知識講解

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：237 查看詳情 >>

半導(dǎo)體分立器件應(yīng)用分析及測試方案

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：226 查看詳情 >>

“陜西天士立科技”快訊｜首批IGBT模塊靜態(tài)動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備產(chǎn)線工作站交付

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：224 查看詳情 >>

CSMC-02 2KV單極性脈沖電源 參數(shù)化脈沖源_高壓脈沖納秒脈沖電源

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：233 查看詳情 >>

CSMC-05 5KV單極性脈沖電源&參數(shù)化脈沖源_高壓脈沖納秒脈沖電源

發(fā)布日期：2024-07-03 閱讀次數(shù)：275 查看詳情 >>

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CSMC-02 2KV單極性脈沖電源參數(shù)化脈沖源_高壓脈沖納秒脈沖電源